2N1485

2N1485 Microchip Technology


LDS_0299_2N1483_2N1486-3442228.pdf Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N1485 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 40V 3A TO8, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750A, Current - Collector Cutoff (Max): 15µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V, Supplier Device Package: TO-8, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.75 W.

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2N1485 2N1485 Hersteller : Microchip Technology 7057132281-lds-0299.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1750mW 3-Pin TO-8 Tray
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2N1485 2N1485 Hersteller : Microchip Technology 7057132281-lds-0299.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1750mW 3-Pin TO-8 Tray
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2N1485 Hersteller : MOT 132281-2n1483-2n1484-2n1485-2n1486-npn-bjt-series-datasheet CAN
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2N1485 Hersteller : MOTOROLA 132281-2n1483-2n1484-2n1485-2n1486-npn-bjt-series-datasheet
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2N1485 2N1485 Hersteller : Microchip Technology 7057132281-lds-0299.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1750mW 3-Pin TO-8 Tray
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2N1485 2N1485 Hersteller : Microchip Technology 7057132281-lds-0299.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1750mW 3-Pin TO-8 Tray
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2N1485 Hersteller : Microchip Technology 132281-2n1483-2n1484-2n1485-2n1486-npn-bjt-series-datasheet Description: TRANS NPN 40V 3A TO8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750A
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V
Supplier Device Package: TO-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.75 W
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