2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 6.09 EUR |
| 10+ | 5.47 EUR |
| 25+ | 5.17 EUR |
| 100+ | 4.48 EUR |
| 250+ | 4.25 EUR |
| 500+ | 3.81 EUR |
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Technische Details 2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 37ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote 2EDS8265HXUMA2 nach Preis ab 2.83 EUR bis 6.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers Y |
auf Bestellung 4976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2EDS8265HXUMA2 Produktcode: 171725 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2EDS8265HXUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |