2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 1.29 EUR |
| 5000+ | 1.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote 2ED2108S06FXUMA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 105.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 12494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
auf Bestellung 10813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP |
Produkt ist nicht verfügbar |