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2DB1188Q-13

2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

2DB1188P_Q_R.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
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2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
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2DB1188Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2DB1188P_Q_R.pdf 2DB1188Q-13 PNP SMD transistors
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