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1N916A ONSEMI
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Description: ONSEMI - 1N916A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
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rohsPhthalatesCompliant: NO
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details 1N916A ONSEMI
Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N916A |
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auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1N916A | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1N916A | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
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1N916A | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
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