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Technische Details 1N6628US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: A-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N6628US | Hersteller : Microchip Technology |
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Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V |
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