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Technische Details 1N6621US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V.
Weitere Produktangebote 1N6621US/TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N6621USTR | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621USTR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621USTR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V |
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