1N6474US Microchip Technology
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Technische Details 1N6474US Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N6474US | Hersteller : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin G-MELF Bag |
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1N6474US | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin G-MELF Bag |
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1N6474US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, G Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V Supplier Device Package: G-MELF (D-5C) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
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