1N646-1 Microchip Technology
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Technische Details 1N646-1 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 315A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V, Supplier Device Package: B, Axial, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 5.6V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V, Power - Peak Pulse: 500W, Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote 1N646-1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N6461 | Hersteller : Semtech |
 Zener Diodes T DAP UNI 500W 5V |
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1N6461 | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin Case E Bag |
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1N646-1 | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin Case E Bag |
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1N646-1 | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin Case E Bag |
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1N646-1 | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin Case E Bag |
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1N6461 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 315A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V Supplier Device Package: B, Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
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1N646-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 300 V |
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