1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 15.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 18A
Breakdown voltage: 19V
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Technische Details 1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 15.2V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 18A, Breakdown voltage: 19V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
Weitere Produktangebote 1N6113A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
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Description: TVS DIODE 15.2VWM BPKG AXIAL |
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1N6113A | Hersteller : Semtech |
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| 1N6113A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 15.2V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 18A Breakdown voltage: 19V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.5kW Mounting: THT |
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