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1N5826 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details 1N5826 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N5826 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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1N5826 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5826 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V |
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1N5826 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: DO-4 (DO-203AA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
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1N5826 | Hersteller : Microchip Technology |
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