1N5822US Microchip Technology
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Technische Details 1N5822US Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V.
Weitere Produktangebote 1N5822US nach Preis ab 118.90 EUR bis 128.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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1N5822US | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V |
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1N5822US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
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1N5822US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5822US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5822US | Hersteller : MICROSEMI |
B/Schottky Rectifier 1N5822 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |