Produkte > ONSEMI > 1N5818G
1N5818G

1N5818G onsemi


1N5817_D-2309635.pdf Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V
auf Bestellung 20479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+0.34 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
7000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 1N5818G onsemi

Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 550mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5818, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote 1N5818G nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
1N5818G 1N5818G Hersteller : onsemi 1n5817-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+0.6 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
1N5818G 1N5818G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013660491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5818
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5818-G Hersteller : Comchip Technology 1N5817-G Thru936489. 1N5819-G RevA-1291068.pdf Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=30V, IAV=1.0A
auf Bestellung 18370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.56 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.12 EUR
5000+ 0.1 EUR
10000+ 0.083 EUR
50000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 6
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.875V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
1N5818G 1N5818G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.875V
Produkt ist nicht verfügbar