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1N5814

1N5814 Microchip Technology

lds-0145.pdf Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 100V 20A 35ns 2-Pin DO-4 Tray
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Technische Details 1N5814 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-203AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

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1N5814 1N5814 Hersteller : Microchip Technology 5858-1n5812-datasheet Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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