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1N5811E3 Microchip Technology
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Technische Details 1N5811E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Weitere Produktangebote 1N5811E3 nach Preis ab 10.53 EUR bis 16.63 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
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