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Technische Details 1N5811/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N5811/TR | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin Case E T/R |
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1N5811/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin Case E T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5811/TR | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
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1N5811TR | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
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