1N5635A MICROSEMI
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DO-13/1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 1N5635
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Technische Details 1N5635A MICROSEMI
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 10.2V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 90A, Breakdown voltage: 12V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N5635A | Hersteller : Microsemi Corporation |
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1N5635A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13 Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Max. off-state voltage: 10.2V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 90A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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1N5635A | Hersteller : Microsemi |
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1N5635A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13 Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Max. off-state voltage: 10.2V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 90A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS |
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