1N5629A Microchip Technology
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Technische Details 1N5629A Microchip Technology
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V, Supplier Device Package: DO-13, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 6.45V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote 1N5629A nach Preis ab 29.69 EUR bis 32.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5629A | Hersteller : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5629A | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ DO-13 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5629A | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5629A | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
1N5629A |
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1N5629A | Hersteller : Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
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| 1N5629A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.8V; 143A; unidirectional; ±5%; DO13 Max. off-state voltage: 5.8V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 143A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 1mA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Tolerance: ±5% Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| 1N5629A | Hersteller : MICROSEMI |
DO13/1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5629 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| 1N5629A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V Supplier Device Package: DO-13 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.45V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
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| 1N5629A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.8V; 143A; unidirectional; ±5%; DO13 Max. off-state voltage: 5.8V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 143A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 1mA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Tolerance: ±5% |
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