![1N5625-TAP 1N5625-TAP](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/18cdc11887399512846c8d765f84944b54aa5475/85602-pt-medium.jpg)
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Technische Details 1N5625-TAP Vishay
Description: VISHAY - 1N5625-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, Avalanche-Diode, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 7.5 µs, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-64, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 7.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 1N5625-TAP nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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1N5625-TAP | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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1N5625-TAP | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay |
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1N5625-TAP | Hersteller : Vishay |
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1N5625-TAP | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 7.5us Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 60pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 18A Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 7.5µs Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 10µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Mounting: THT Case: SOD64 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5625-TAP | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 7.5us Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 60pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 18A Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 7.5µs Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 10µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Mounting: THT Case: SOD64 |
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