1N5620/TR Microchip Technology
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Technische Details 1N5620/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N5620/TR | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5620/TR | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5620 TR | Hersteller : Central Semiconductor |
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1N5620/TR | Hersteller : Microchip Technology |
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