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Technische Details 1N5619 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5619 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
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1N5619 | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5619 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; tape; Ifsm: 25A; Ufmax: 1.6V; 250ns Mounting: THT Max. forward impulse current: 25A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5619 | Hersteller : Semtech |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5619 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; tape; Ifsm: 25A; Ufmax: 1.6V; 250ns Mounting: THT Max. forward impulse current: 25A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns |
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