![1N5618US/TR 1N5618US/TR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cfd63766cb5708a4a30bd643427f90f2b6db218b/2pin_d-5a.jpg)
1N5618US/TR Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5618US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Weitere Produktangebote 1N5618US/TR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5618US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
1N5618US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
1N5618US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
1N5618US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |