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Technische Details 1N5554 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote 1N5554 nach Preis ab 12.97 EUR bis 13.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5554 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
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1N5554 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 1KV 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5554 | Hersteller : MICROSEMI |
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED DTANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5554 | Hersteller : Semtech |
D MET 3A STD 1KV Standard Recovery Rectifier Diode 1N5554 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |