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Technische Details 1N5407RLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5407RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 1N5407RLG nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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1N5407RLG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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1N5407RLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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1N5407RLG | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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1N5407RLG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5407RLG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
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1N5407RLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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1N5407RLG | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 800V 3A Standard |
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1N5407RLG | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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1N5407RLG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5407RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407RLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
auf Bestellung 31200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407RLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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