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1N5402-G

1N5402-G Comchip Technology

QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Technische Details 1N5402-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: 0, Qualifikation: 0, Durchlassspannung, max.: 0, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N5402-G 1N5402-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5402G 1N5402G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 200V 3A Standard
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1N5402-G 1N5402-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Small Signal Switching Diodes VR=200V, IO=3A
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1N5402G 1N5402G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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1N5402G 1N5402G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
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250+ 0.29 EUR
321+ 0.22 EUR
782+ 0.092 EUR
834+ 0.086 EUR
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1N5402G 1N5402G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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205+ 0.35 EUR
250+ 0.29 EUR
321+ 0.22 EUR
782+ 0.092 EUR
834+ 0.086 EUR
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1N5402G 1N5402G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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1N5402G 1N5402G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: 0
Qualifikation: 0
Durchlassspannung, max.: 0
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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1N5402G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,2; If, А = 3; Тексп, °C = -65...+150; Темп.опір,°C/Вт = 53; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200; DO-201AD
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1N5402G 1N5402G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5402G 1N5402G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5402G 1N5402G Hersteller : EIC 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5402G 1N5402G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5402G 1N5402G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5402G 1N5402G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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1N5402G 1N5402G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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1N5402G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1301n5400g20series_g12.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5402-G 1N5402-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5402G 1N5402G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier
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1N5402-G 1N5402-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5402G 1N5402G Hersteller : ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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1N5402G 1N5402G Hersteller : ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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