![1N5402-G 1N5402-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/392/DO-201AD.jpg)
1N5402-G Comchip Technology
![QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details 1N5402-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: 0, Qualifikation: 0, Durchlassspannung, max.: 0, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote 1N5402-G nach Preis ab 0.086 EUR bis 1.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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1N5402-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 19422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5402-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 7007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
auf Bestellung 7289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5402 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 88014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: 0 Qualifikation: 0 Durchlassspannung, max.: 0 Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | Hersteller : Good-Ark |
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1N5402G | Hersteller : Good-Ark |
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1N5402G | Hersteller : EIC |
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1N5402G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5402G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5402G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5402G | Hersteller : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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1N5402G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N5402-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N5402G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N5402-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N5402G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5402G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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