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Anzahl | Preis |
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1780+ | 0.09 EUR |
3000+ | 0.08 EUR |
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Technische Details 1N5401G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5401, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 1N5401G nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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1N5401G | Hersteller : Good-Ark |
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auf Bestellung 5603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 2871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
auf Bestellung 36847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
auf Bestellung 5643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 3099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5401 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5401G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5401G | Hersteller : EIC |
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1N5401G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5401G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N5401-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N5401G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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