1N5332
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Technische Details 1N5332
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5 (DO-203AB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.19 V @ 90 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5332 | Hersteller : Microchip Technology |
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Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 (DO-203AB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.19 V @ 90 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
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