![1N5257B A0G 1N5257B A0G](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/16/12/42/11/553896/tsc_/manual/do-35.jpg)
1N5257B A0G Taiwan Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5257B A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 100°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V.
Weitere Produktangebote 1N5257B A0G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5257B A0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
1N5257B A0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |