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Technische Details 1N5183 Microchip Technology
Description: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: S, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: S, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5183 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5183 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5183 | Hersteller : MICROSEMI |
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1N5183 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V |
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