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1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18 Vishay Semiconductors

1n448w.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
Small Signal Switching Diodes 100 Volt 500mA 4ns
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Technische Details 1N4448W-E3-18 Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: SOD-123, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.

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1N4448W-E3-18 1N4448W-E3-18 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n448w.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
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1N4448W-E3-18 1N4448W-E3-18 Hersteller : Vishay 1n4448w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 2-Pin SOD-123 T/R
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1N4448W-E3-18 1N4448W-E3-18 Hersteller : Vishay 1n448w.pdf Diode Small Signal Switching Si 100V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
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1N4448W-E3-18 1N4448W-E3-18 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n448w.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
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Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
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Current - Average Rectified (Io): 150mA
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