
1N4448 A0 Taiwan Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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1000+ | 0.06 EUR |
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Technische Details 1N4448 A0 Taiwan Semiconductor
Category: THT universal diodes, Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW, Type of diode: switching, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 0.15A, Reverse recovery time: 4ns, Semiconductor structure: single diode, Capacitance: 4pF, Case: DO35, Max. forward voltage: 1V, Max. load current: 0.45A, Max. forward impulse current: 2A, Kind of package: Ammo Pack, Power dissipation: 0.5W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 1N4448 A0 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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1N4448 A0 | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.45A Max. forward impulse current: 2A Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N4448 A0 | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.45A Max. forward impulse current: 2A Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.5W |
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1N4448A0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N4448 A0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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