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1N4006RLG

1N4006RLG onsemi

1n4001-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
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Technische Details 1N4006RLG onsemi

Description: ONSEMI - 1N4006RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : onsemi 1N4001_D-2309631.pdf Rectifiers 800V 1A Standard
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4006RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; CASE59
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4006RLG 1N4006RLG Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; CASE59
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
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