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1N3883R GeneSiC Semiconductor
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Technische Details 1N3883R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V.
Weitere Produktangebote 1N3883R nach Preis ab 9.13 EUR bis 12.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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1N3883R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V |
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1N3883R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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1N3883R | Hersteller : Microchip Technology |
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