1N1190AR GeneSiC Semiconductor
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Description: DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Technische Details 1N1190AR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
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1N1190AR | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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