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Technische Details 1EDS5663HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: GaN EiceDRIVER, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.5V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 37ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 1EDS5663HXUMA1 nach Preis ab 3.61 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO16Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 8A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: CQC, CSA, UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 44ns, 44ns Pulse Width Distortion (Max): 18ns (Typ) Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.13V ~ 3.47V |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 4A 1-OUT High Side Half Brdg 16-Pin DSO T/R |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: GaN EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16 Technology: EiceDRIVER™; GaN Case: PG-DSO-16 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -8...4A Topology: single transistor Integrated circuit features: galvanically isolated Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V Voltage class: 650V Type of integrated circuit: driver Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 8A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: CQC, CSA, UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 44ns, 44ns Pulse Width Distortion (Max): 18ns (Typ) Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.13V ~ 3.47V |
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1EDS5663HXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16 Technology: EiceDRIVER™; GaN Case: PG-DSO-16 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -8...4A Topology: single transistor Integrated circuit features: galvanically isolated Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V Voltage class: 650V Type of integrated circuit: driver |
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