1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details 1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote 1EDN9550BXTSA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Gate Drivers Y |
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1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| 1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V Supplier Device Package: PG-SOT23-6 Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET, SiC MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A DigiKey Programmable: Not Verified |
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1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Single Channel High Side and low-side gate driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Single Channel High Side and low-side gate driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1EDN9550BXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V Supplier Device Package: PG-SOT23-6 Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET, SiC MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A DigiKey Programmable: Not Verified |
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