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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
YJH03N06AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.092 EUR
5000+ 0.087 EUR
10000+ 0.082 EUR
20000+ 0.077 EUR
40000+ 0.069 EUR
100000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
YJH03N06BYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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YJH03N10AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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20000+ 0.13 EUR
40000+ 0.12 EUR
100000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
YJH03N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.18 EUR
570+ 0.13 EUR
795+ 0.09 EUR
840+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 400
YJH03N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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570+ 0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 400
YJH10N02AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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