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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024GEMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.67 EUR
250+ 1.54 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.27 EUR
3000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
10+ 2.07 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
XP4052CMTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4060CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.41 EUR
3000+ 2.15 EUR
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4062CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+ 2.18 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.22 EUR
3000+ 1.04 EUR
9000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
10+ 2.26 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4064CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.75 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.3 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4064CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.69 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.38 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4072CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+ 0.8 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.35 EUR
6000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP408AB
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP40M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 40MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 40 MHz
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP40P03GIYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP40T03GPYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4111PANASONIC99+ SOT-323-6
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4112
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4113Panasonic
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4113-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4114Panasonic04+ SOT-363
auf Bestellung 21100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115(TX)panasonic
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115-(TX)panasonic05+
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4116
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4116-(TX)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4117
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4132-(TX)
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4210
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211Panasonic
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211PANAS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211 / 9VPanasonic
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211-(TX)Panasonic
auf Bestellung 63718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211-(TX)(9V)
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4212
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4212-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4212-(TX)(8R)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213
Produktcode: 168732		IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4213-(TX)MAT
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213-(TX)PANASONICSOT26/
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213-(TX).SOPANASOT26/SOT363
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214PANPSONIC09+
auf Bestellung 5968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214PAN06+ SOT-363
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214-(TX).SO
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214-TX
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215panasonic
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX)Panasonic
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX)(8T)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX).MTPANASONICSOT363-8T
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4216
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4216-(TX)
auf Bestellung 68500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4216-X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP42AZ11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
Produkt ist nicht verfügbar
XP4311 / 7XPanasonic
auf Bestellung 11187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311-(TX)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311-(TX)(7X)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 5918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311/7X
auf Bestellung 11187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)PANASONICSOT363
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX).ERPANASONICSOT363-7T
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX).ERSOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX).SO
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)/7T
auf Bestellung 48700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-TXPANASONIC05+PB
auf Bestellung 4412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-TXPANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-TX.SO
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313PAN09+
auf Bestellung 25818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313PAN07+ SOT-363
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX)PANASONIC09+
auf Bestellung 12038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363-BZ
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-TX
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313/BZ
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314PANPSONIC09+
auf Bestellung 72018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314-CTX7
auf Bestellung 17754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314/CAPANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314\CAPanasonicSOT-363
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4315PANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4315-TXPANPSONIC09+
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316PAN
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316(TX)PANASONIC
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401
Produktcode: 168734		IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4401PANAS
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401(TX)Panasonic
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(TX)(5K)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(XT)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-TX
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-XT
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401/5KPANASONIC09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401TX
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4402
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4402/0H
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4414-TX
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+ 1.9 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.02 EUR
3000+ 0.96 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4501
Produktcode: 168735		IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4501(TX)PANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)PANASONICSOT36
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)(5H)
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)/XP0450
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-WPANASONICSOT26/
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-WPANASONICSOT23
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501/5HPANASONIC09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4506PANASONIC
auf Bestellung 14480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+ 2.41 EUR
100+ 1.92 EUR
250+ 1.76 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.45 EUR
3000+ 1.26 EUR
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
XP4525GEHYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4525GEMYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601PAN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601-(TX)(5C)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-TXPANASONIC
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-TX/5C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601/5CPANASONIC
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4604IYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4608PYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4608SYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4654
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4878/7Y
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4M32LPTRIDENTBGA
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+ 4.75 EUR
25+ 4.47 EUR
100+ 3.84 EUR
250+ 3.63 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 3.06 EUR
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+ 4.83 EUR
100+ 3.9 EUR
500+ 3.47 EUR
1000+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+ 3.82 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.8 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.18 EUR
3000+ 2.06 EUR
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.7 EUR
10+ 3.89 EUR
100+ 3.1 EUR
500+ 2.62 EUR
1000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.04 EUR
10+ 5.91 EUR
25+ 5.58 EUR
100+ 4.79 EUR
250+ 4.52 EUR
500+ 4.26 EUR
1000+ 3.63 EUR
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+ 5.94 EUR
100+ 4.8 EUR
500+ 4.27 EUR
1000+ 3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA1R6HCMTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA1R8MT-AYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R4HYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R4ITYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R4PYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R6CMTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA2R8MTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA3R3ITYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA3R5HCSTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA3R8HYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA3R8H-ATYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NAR72CXTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NAR85CMTYAGEO XSemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NAR85CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+ 7.34 EUR
25+ 6.92 EUR
100+ 5.93 EUR
250+ 5.6 EUR
500+ 5.26 EUR
1000+ 4.52 EUR
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.4 EUR
10+ 6.99 EUR
100+ 5.05 EUR
500+ 4.22 EUR
1000+ 4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.39 EUR
3000+ 0.36 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
Linsenfarbe: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: 230V
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: 1W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP67
Außenhöhe: 35mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)