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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
NVH040N65S3FONSEMINVH040N65S3F THT N channel transistors
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NVH040N65S3FON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, 650 V, 65 A, 40 m
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NVH040N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247
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NVH040N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.48 EUR
30+15.06 EUR
NVH050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.39 EUR
30+10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVH050N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
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NVH082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S
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NVH082N65S3FonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.33 EUR
30+9.02 EUR
120+7.64 EUR
510+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVH18NEWSOP18 06+
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH18NEC09+
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH1D1C0CP2SApemJoysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+258.63 EUR
5+255.29 EUR
10+244.20 EUR
20+222.01 EUR
60+207.91 EUR
100+207.87 EUR
260+207.84 EUR
NVH1D1C0CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+256.33 EUR
5+252.73 EUR
20+238.29 EUR
NVH1D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
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NVH1D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
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NVH1D1C0CP7SApemJoysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV
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NVH1D1C1CP2SAPEM ComponentsNVH1D1C1CP2S
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+305.55 EUR
3+291.47 EUR
5+256.95 EUR
10+241.71 EUR
20+212.27 EUR
NVH1D1C1CP2SApemJoysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+297.05 EUR
5+270.69 EUR
10+254.87 EUR
20+254.81 EUR
NVH1D1C1CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+366.75 EUR
5+319.87 EUR
20+284.22 EUR
NVH1D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
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NVH1D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
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NVH1D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
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NVH2D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
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NVH2D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
NVH2D1C0CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
NVH2D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
NVH2D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
NVH2D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
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NVH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.76 EUR
10+42.84 EUR
NVH4L015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.16 EUR
10+46.18 EUR
30+41.29 EUR
NVH4L015N065SC1ONSEMINVH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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NVH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L018N075SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.04 EUR
30+42.55 EUR
NVH4L018N075SC1ONSEMINVH4L018N075SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L018N075SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 140A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.11 EUR
10+84.09 EUR
30+80.57 EUR
NVH4L020N090SC1onsemiDescription: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.42 EUR
10+86.22 EUR
100+74.86 EUR
NVH4L020N120SC1ONSEMINVH4L020N120SC1 THT N channel transistors
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NVH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.27 EUR
30+59.30 EUR
NVH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.31 EUR
10+70.22 EUR
30+68.53 EUR
60+67.44 EUR
120+66.40 EUR
270+63.52 EUR
510+61.53 EUR
NVH4L022N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.89 EUR
10+75.06 EUR
25+73.48 EUR
50+72.49 EUR
100+68.87 EUR
450+66.26 EUR
NVH4L022N120M3SONSEMINVH4L022N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.37 EUR
10+78.32 EUR
30+75.79 EUR
120+70.23 EUR
NVH4L025N065SC1ONSEMINVH4L025N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L025N065SC1ON SemiconductorSingle N-Channel MOSFET SiC Power Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.36 EUR
10+29.41 EUR
NVH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.06 EUR
10+30.29 EUR
NVH4L027N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
30+21.72 EUR
120+20.32 EUR
NVH4L027N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.83 EUR
10+38.30 EUR
30+33.86 EUR
60+33.28 EUR
120+31.75 EUR
270+30.57 EUR
510+27.23 EUR
NVH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.58 EUR
30+26.24 EUR
NVH4L030N120M3SONSEMINVH4L030N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.10 EUR
30+19.82 EUR
120+19.26 EUR
NVH4L040N120M3SONSEMINVH4L040N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.35 EUR
10+30.24 EUR
30+26.21 EUR
60+26.19 EUR
120+24.66 EUR
270+24.24 EUR
510+22.32 EUR
NVH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.97 EUR
10+28.95 EUR
30+28.14 EUR
NVH4L040N120SC1ONSEMINVH4L040N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.94 EUR
30+27.32 EUR
NVH4L040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33.8mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH4L040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.83 EUR
30+15.23 EUR
120+13.36 EUR
NVH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33.8mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.16 EUR
10+17.67 EUR
30+13.89 EUR
60+13.87 EUR
120+13.75 EUR
NVH4L045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.85 EUR
30+23.35 EUR
120+21.98 EUR
510+19.92 EUR
NVH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
10+27.24 EUR
25+23.62 EUR
50+23.60 EUR
100+22.21 EUR
250+21.84 EUR
450+19.76 EUR
NVH4L045N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
30+12.41 EUR
120+10.62 EUR
510+10.47 EUR
NVH4L050N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH4L050N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 50mohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.92 EUR
10+18.23 EUR
30+11.72 EUR
120+10.77 EUR
NVH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.97 EUR
30+14.32 EUR
NVH4L060N065SC1ONSEMINVH4L060N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET, N Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.28 EUR
30+22.02 EUR
120+18.48 EUR
270+15.38 EUR
510+14.89 EUR
1020+14.73 EUR
NVH4L060N090SC1ON SemiconductorAutomotive MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
10+25.75 EUR
25+23.60 EUR
50+23.57 EUR
100+22.21 EUR
250+21.52 EUR
450+19.59 EUR
NVH4L060N090SC1onsemiDescription: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.63 EUR
10+44.11 EUR
100+38.58 EUR
NVH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1146933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.04 EUR
30+14.92 EUR
120+13.97 EUR
NVH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.13 EUR
10+21.24 EUR
30+20.68 EUR
60+19.52 EUR
120+18.37 EUR
270+17.81 EUR
510+16.65 EUR
NVH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.63 EUR
10+15.08 EUR
30+15.07 EUR
270+14.54 EUR
510+14.48 EUR
1020+12.58 EUR
NVH4L075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.93 EUR
10+15.22 EUR
450+12.23 EUR
NVH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH4L080N120SC1ONSEMINVH4L080N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.20 EUR
30+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
NVH4L080N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 70 mohm, 650V, M2, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 95 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.56 EUR
10+16.40 EUR
25+14.22 EUR
100+13.39 EUR
250+13.16 EUR
450+12.11 EUR
900+11.11 EUR
NVH4L110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE, 110MOHM, TO-247-4
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.61 EUR
30+5.49 EUR
NVH4L110N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.08 EUR
30+5.83 EUR
120+5.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVH4L160N120SC1ONSEMINVH4L160N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.90 EUR
10+13.59 EUR
30+11.44 EUR
NVH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.40 EUR
34+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVH640S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+935.40 EUR
12+905.31 EUR
NVH640S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+935.40 EUR
12+905.31 EUR
NVH660S75L4SPFBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+979.74 EUR
12+948.24 EUR
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+979.74 EUR
12+948.24 EUR
NVH820S75L4SPBON SemiconductorAutomotive 750 V, 820 A IGBT Module Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NVH820S75L4SPBonsemiIGBT Modules 750V, 820A SSD
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+995.07 EUR
12+963.37 EUR
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NVH820S75L4SPConsemiPower Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
NVH820S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+988.38 EUR
12+958.66 EUR
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive IGBT Module Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NVH820S75L4SPMonsemiIGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+995.37 EUR
12+963.37 EUR
NVH950S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1218.43 EUR
12+1215.84 EUR
NVH950S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1231.51 EUR
12+1231.49 EUR
100+1228.34 EUR
252+1227.37 EUR
500+1222.43 EUR
1000+1215.84 EUR
NVHL015N065SC1ON SemiconductorNVHL015N065SC1
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.54 EUR
10+41.78 EUR
NVHL015N065SC1ONSEMINVHL015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.68 EUR
10+44.01 EUR
25+40.27 EUR
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 136A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.04 EUR
30+38.91 EUR
NVHL020N090SC1ONSEMINVHL020N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.15 EUR
30+37.53 EUR
NVHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.20 EUR
NVHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.67 EUR
5+65.98 EUR
10+61.72 EUR
20+57.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVHL020N120SC1ONSEMINVHL020N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+57.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+57.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.39 EUR
NVHL020N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.80 EUR
10+30.10 EUR
NVHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.17 EUR
10+29.21 EUR
NVHL025N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.09 EUR
10+28.85 EUR
30+21.44 EUR
NVHL025N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL025N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.08 EUR
30+22.17 EUR
120+20.82 EUR
NVHL025N65S3ON SemiconductorPower MOSFET, Automotive N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL025N65S3ONSEMINVHL025N65S3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL027N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
10+25.33 EUR
30+20.52 EUR
NVHL027N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0215 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FONSEMINVHL027N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.90 EUR
30+21.37 EUR
120+19.93 EUR
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL040N120SC1ONSEMINVHL040N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.98 EUR
30+26.31 EUR
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NVHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?3L
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.17 EUR
10+27.09 EUR
NVHL040N120SC1
Produktcode: 190306		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NVHL040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVHL040N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.27 EUR
10+12.65 EUR
450+8.96 EUR
NVHL040N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 59 A, 40 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, 57A, 40mohm, TO-247
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NVHL040N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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NVHL040N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.61 EUR
30+12.44 EUR
120+10.65 EUR
510+10.50 EUR
NVHL040N65S3onsemiMOSFETs MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III,Automotive, Easy-Drive 650 V, 65 A, 40 mohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.97 EUR
10+18.87 EUR
30+11.76 EUR
120+10.82 EUR
NVHL040N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 TO-247
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.20 EUR
10+24.52 EUR
30+15.47 EUR
120+14.19 EUR
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL040N65S3FONSEMINVHL040N65S3F THT N channel transistors
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NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL040N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.45 EUR
30+15.63 EUR
120+13.79 EUR
NVHL040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NVHL040N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
30+13.65 EUR
120+11.73 EUR
NVHL040N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 fast recovery
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.82 EUR
10+20.20 EUR
30+13.52 EUR
120+12.07 EUR
NVHL040N65S3HFON SemiconductorNVHL040N65S3HF
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NVHL040N65S3HFONSEMINVHL040N65S3HF THT N channel transistors
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NVHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.04 EUR
10+25.78 EUR
25+24.71 EUR
100+21.77 EUR
450+19.37 EUR
NVHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO247-3L
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.35 EUR
10+25.47 EUR
25+24.60 EUR
50+23.87 EUR
100+21.79 EUR
250+19.57 EUR
450+19.55 EUR
NVHL050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.02 EUR
30+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL050N65S3FonsemiMOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFETm 650V, 50 mohm, 58A
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.70 EUR
30+10.82 EUR
NVHL050N65S3HFONSEMINVHL050N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.68 EUR
30+9.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL050N65S3HFonsemiMOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.79 EUR
30+9.68 EUR
NVHL050N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NVHL050N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL055N60S5FONSEMINVHL055N60S5F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.97 EUR
10+9.57 EUR
100+7.07 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL055N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.12 EUR
10+18.24 EUR
25+16.18 EUR
100+13.86 EUR
450+13.82 EUR
NVHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.41 EUR
10+16.03 EUR
30+16.02 EUR
60+14.24 EUR
NVHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.66 EUR
75+16.49 EUR
NVHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.61 EUR
50+17.11 EUR
NVHL060N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL060N090SC1ON SemiconductorSiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL060N090SC1ONSEMINVHL060N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL065N65S3FON SemiconductorNVHL065N65S3F
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL065N65S3FONSEMINVHL065N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL065N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 1298 Stücke:
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2+12.41 EUR
30+7.71 EUR
120+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 450 Stücke:
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1+13.22 EUR
10+12.85 EUR
30+8.20 EUR
120+7.41 EUR
NVHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 420 Stücke:
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1+36.98 EUR
10+27.75 EUR
NVHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.86 EUR
10+35.43 EUR
30+33.07 EUR
60+32.03 EUR
120+30.99 EUR
270+28.92 EUR
510+26.61 EUR
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL072N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL072N65S3ONSEMINVHL072N65S3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.70 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL072N65S3onsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mohm, TO-247
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
30+7.02 EUR
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+14.94 EUR
Mindestbestellmenge: 450
NVHL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.24 EUR
30+12.94 EUR
120+11.73 EUR
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.05 EUR
30+12.81 EUR
120+12.07 EUR
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 270765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.41 EUR
10+14.85 EUR
NVHL080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.43 EUR
10+15.00 EUR
NVHL080N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+17.73 EUR
Mindestbestellmenge: 450
NVHL080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL080N120SC1
Produktcode: 178409		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1AONSEMINVHL080N120SC1A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.60 EUR
30+14.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL080N120SC1AON Semiconductor
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
10+11.31 EUR
450+7.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL082N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.08 EUR
10+10.07 EUR
30+9.20 EUR
120+9.15 EUR
270+8.03 EUR
NVHL082N65S3FONSEMINVHL082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL082N65S3HFONSEMINVHL082N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL082N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.96 EUR
30+8.78 EUR
120+7.43 EUR
510+6.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL082N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247 fast recovery
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 248-252 Tag (e)
1+12.85 EUR
10+11.02 EUR
25+9.98 EUR
100+9.17 EUR
250+8.62 EUR
450+8.08 EUR
900+7.29 EUR
NVHL095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.24 EUR
30+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL095N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+10.31 EUR
30+7.71 EUR
120+6.39 EUR
510+6.07 EUR
NVHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL095N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.37 EUR
10+9.10 EUR
25+8.45 EUR
100+7.57 EUR
250+6.76 EUR
450+6.62 EUR
900+5.88 EUR
NVHL1000N170M1ONSEMINVHL1000N170M1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL110N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL110N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.11 EUR
10+5.70 EUR
30+5.10 EUR
NVHL110N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 43848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.34 EUR
30+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL110N65S3FONSEMINVHL110N65S3F THT N channel transistors
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NVHL110N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.50 EUR
30+7.23 EUR
120+6.07 EUR
510+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVHL110N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
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NVHL110N65S3HFONSEMINVHL110N65S3HF THT N channel transistors
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NVHL110N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE, 110MOHM, TO-247-3
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NVHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL160N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.89 EUR
NVHL160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVHL160N120SC1ONSEMINVHL160N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.95 EUR
30+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2