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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
GD9-15-NFLaird Technologies IASDescription: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30"
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GD9-15-NFLairdAntennas Grid,Wire,240-30in,N F
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GD9-18Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 18DBI 900MHZ 10" N FEM
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GD9-18LairdAntennas Grid,Wire,300-18in,N F
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
GD9-DC15-NFLairdAntennas
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GD9-DC15-NFLaird Technologies IASDescription: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30"
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GD900InterlightDescription: Replacement for Lg GD900 Replace
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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GD900 CRYSTALInterlightDescription: Replacement for Lg GD900 Crystal
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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GD900 Теплопроводящая паста 1г (шприц)
Produktcode: 168552		Chemie > Wärmeleitende Materialien
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GD900; Теплопроводящая паста; 1г (шприц); Теплопроводность: 4.8W; -50…+240°С; Thermal Grease
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD900HFY120P1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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GD900HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 9 Stücke
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GD900HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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GD9FS1G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 30 ns
Memory Organization: 128M x 8
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GD9FS1G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
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GD9FS1G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Memory Organization: 128M x 8
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GD9FS1G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
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GD9FS1G8F2DMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS1G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS1G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC MEMORY
Packaging: Tray
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GD9FS1G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G6F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
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GD9FS2G6F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD9FS2G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD9FS2G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F2BMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT ONFI
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD9FS2G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS2G8F3AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD9FS4G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS4G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD9FS4G8F2ALGJGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD9FS4G8F2ALGJGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS4G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS4G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOPI
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 512M x 8
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GD9FS4G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS4G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC MEMORY
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 512M x 8
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GD9FS4G8F3AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOPI
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 512M x 8
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GD9FS4G8F4DMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS8G8E2AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS8G8E2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 8GBIT ONFI 48TSOPI
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 1G x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FS8G8E3AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 8GBIT ONFI 48TSOPI
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 1G x 8
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GD9FS8G8E3AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FS8G8E4DMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FU1G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /FBGA-63 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
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GD9FU1G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 8
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GD9FU1G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SLC NAND FLASH
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
GD9FU1G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.20 EUR
10+4.93 EUR
100+4.91 EUR
250+4.73 EUR
500+4.59 EUR
960+4.47 EUR
2880+4.24 EUR
GD9FU1G8F2DMGIGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.60 EUR
10+5.07 EUR
100+4.44 EUR
250+4.42 EUR
500+4.26 EUR
960+4.05 EUR
2880+3.85 EUR
GD9FU1G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU1G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC MEMORY
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 128M x 8
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GD9FU1G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FU2G6F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
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GD9FU2G6F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT ONFI
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 128M x 16
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GD9FU2G6F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU2G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 256M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU2G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU2G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU2G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU2G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT ONFI
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD9FU2G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD9FU4G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC MEMORY
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3ALGJGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3ALGJGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tray
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3AMG2GigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F3AMGJGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU4G8F4DMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU8G8E2AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU8G8E3AMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD9FU8G8E4DMGIGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar