GD900HFY120P1S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD900HFY120P1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 5.24, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.522, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD900HFY120P1S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| GD900HFY120P1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P1.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Anzahl je Verpackung: 9 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| GD900HFY120P1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: P1.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA |
Produkt ist nicht verfügbar |