Produkte > DN3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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| DN30-20P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-20P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-26P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-26P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-36P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-36P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-36P(51) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-36P(51) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-36PB | Hirose Connector | Bench Top Tools | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-50P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 3A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Type Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm) Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN30-50P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-50P(51) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN30-50P(51) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3020 | Molex | Conn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change® | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3020CAP | Molex | MC 5P Tee Passive | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3020PM-1 | Molex | Conn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change® | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3020PM-3 | Molex | Conn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3020PM-3 | Molex | Conn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3022 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3030-PT-1 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3030-PT-1 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135K1 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| DN3135K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 35Ohm | auf Bestellung 36124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3135K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 107217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3135K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3135K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8 | SUPER | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | SUPERTEX | auf Bestellung 3790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 21390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 35Ohm | auf Bestellung 5272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3135N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | DN3135N8-G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3145N8 | SUPER | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3145N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3145N8-g | SUPER | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3145N8-g | Microchip Technology | MOSFETs 450V 60Ohm | auf Bestellung 75664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3145N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 1.3 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3145N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 85400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3145N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY | DN3145N8-G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3145N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.3 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3200 | Molex | Conn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN32CH432G50BT | KYOCERA | 05+NOP | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN32W5R104K100BT | KYOCERA | 05+NOP | auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN32W5R124K25BT | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 1417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | auf Bestellung 3021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN350T05-7 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8 | SUPER | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 7797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 6Ohm | auf Bestellung 128813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 7797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G Produktcode: 165361 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3525N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3525N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | auf Bestellung 6662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3525ND | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3535N8 | Microchip Technology | MOSFET 350V 10Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | auf Bestellung 6898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A | auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3535N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 10Ohm | auf Bestellung 14583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | auf Bestellung 4685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DN3545N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFETs 3L TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8 | SUPER | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | DN3545N8-G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N8-G Produktcode: 176174 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | auf Bestellung 29064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | auf Bestellung 13560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3545N8-G D561 | Microchip Technology | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas Electronics | 16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas Electronics America | Description: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP | auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3687GFPV | RENESAS | QFP 07+ | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas | MCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DN3694GFPV | Renesas Electronics America | Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3765K4-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | DN3765K4-G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DN3765K4-G | Microchip Technology | MOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET | auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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