Produkte > 2N5
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2N50 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N50 (MTP2N50) Produktcode: 77943 | Fairchild | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 Idd,A: 3 Rds(on), Ohm: 4 Ciss, pF/Qg, nC: 400/15 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N500 | MOT | CAN | auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N500 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5000 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5000 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5000 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5001 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5001 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5001 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5002 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5003 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5003 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5003 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5004 | MOTOROLA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5006 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5006 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5006 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5007 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5007 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5007 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5008 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5008 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5008 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5009 | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N500A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N501 | MOT | CAN | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N501 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5010 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010 | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010 | MOT | CAN | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5010 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5010A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5010S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010S | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5010U4 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5011 | MOT | CAN | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5011 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5011 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5011A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5011S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5011S | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5011U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5011U4 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5012 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5012 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5012 | VISHAY | CAN | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5012 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5012 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5012 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5012A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5013 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5013 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5013 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5013A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5014 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5014 | MOT | CAN | auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5014 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5014A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5015 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5015 | MOT | CAN | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5015 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5015 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5015A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5017 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5017A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5018 | MOT | CAN | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5018 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5018A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5019 | MOT | CAN | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5019 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5019 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5019A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N501A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N501A | MOT | CAN | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N502 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5020 | MOTOROLA | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5020 | MOT | CAN | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5020 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 25V Low Ciss | auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5020A | MOTOROLA | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5021 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5021 | InterFET | JFET JFET P-Channel 25V Low Ciss | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5021 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5021A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5022 | MOT | CAN | auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5022 | MOTOROLA | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5022A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5023 | MOTOROLA | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5023 | MOT | CAN | auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5023A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5024 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5024A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5027 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5027A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5028 | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5028A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5029 | MOTOROLA | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5029A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N502A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N502A | MOT | CAN | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N502B | MOT | CAN | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N503 | MOT | CAN | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N503 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5030 | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5031 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5031 | MOT | CAN | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5031 | MOTOROLA | auf Bestellung 21500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5031 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB @ 400MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5031 | Microsemi | Trans RF BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5032 | MOT | CAN | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5032 | MOTOROLA | auf Bestellung 21500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5033 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5034 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5035 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5036 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5037 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5038 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 90V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3 Polarisation: bipolar Case: TO3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 20...100 Collector current: 20A Type of transistor: NPN Power dissipation: 140W Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5038 | Solid State Inc. | Description: TRANS NPN TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5038 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3 Polarisation: bipolar Case: TO3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 20...100 Collector current: 20A Type of transistor: NPN Power dissipation: 140W Kind of package: bulk | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-3 NPN POWER SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038G | onsemi | Description: TRANS NPN 90V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 140 W | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038G Produktcode: 67440 | ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-204AA Uceo,V: 90 Ucbo,V: 150 Ic,A: 20 ZCODE: THT | auf Bestellung 20 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 6 Stück: |
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2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5038G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN | auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5038G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 20 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5038G | ON | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5039 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 75V 20A TO3 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5039 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 75V 20A TO3 Packaging: Bag Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N503A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N504 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N504 | MOT | CAN | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5040 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5040 | MOT | CAN | auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5040A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5041 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5041 | MOT | CAN | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5041A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5042 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5042 | MOT | CAN | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5042A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5043 | MOT | CAN | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5043 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5043A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5044 | MOT | CAN | auf Bestellung 697 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5044 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5044A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5045 | NS | CAN | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5045 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5045A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5046 | NS | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5046 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5046A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5047 | NS | CAN | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5047 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5047A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5048 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5048 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5048 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5048A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5049 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5049 | MOTOROLA | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5049A | MOTOROLA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N504A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N505 | MOT | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N505 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5050 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5050 | MOT | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5050 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5050 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5050 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5051 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5051 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5052 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5052 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5052 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5052 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5052 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5053 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5053 | MOT | CAN | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5054 | MOT | CAN | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5054 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5055 | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5056 | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5056 | MOT | CAN | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5057 | MOT | CAN | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5057 | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5058 | MOT | CAN | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5058 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5058 | MOTOROLA | auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.15A Power dissipation: 1W Case: TO39 Current gain: 10...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30...160MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5058 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 300V 0.15A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.15A Power dissipation: 1W Case: TO39 Current gain: 10...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30...160MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5059 | MOT | CAN | auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5059 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5059 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 0.15A 1000mW 3-Pin TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5059 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N505A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N506 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5060 | Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 | onsemi | SCRs 30V 800mA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 30V | auf Bestellung 4561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5060 PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Controlled Rectifier 0.8 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 30V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | auf Bestellung 5207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5060 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 30Vdrm 0.8A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | SCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G | onsemi | SCRs THY 0.8A 30V SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5060G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060G Produktcode: 22577 | ON | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-92 U,zu,V: 30V I-auf,mA: 0,2mA Imax,A: 0,8A | verfügbar 48 Stück: 30 Stück - stock Köln18 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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2N5060RL1 | onsemi | Description: SILICON CONTROLLED RECTIFIER Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5060RLRAG - 2N5060RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 60185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5060RLRAG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | auf Bestellung 60185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5060RLRAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5060RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRAG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRM | ON | 07+; | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5060RLRM | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Tape and Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRM | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRMG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5060RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 | ON | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5061 | onsemi | SCRs 50V 800mA Thyristor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 60V | auf Bestellung 13019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5061 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 60V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5061 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 60Vdrm 0.8A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061G | onsemi | SCRs 50V 800mA Thyristor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061G Produktcode: 48398 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-92 U,zu,V: 60V I-auf,mA: 0,5mA Imax,A: 1A ZCODE: 8541 29 00 10 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5061G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061G | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061RLRA | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061RLRAG | ON | 10+ TSSOP | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5061RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5061RLRAG | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 | onsemi | SCRs 100V 800mA Thyristor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 Produktcode: 175840 | ON | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-92 U,zu,V: 100 V I-auf,mA: 510 mA Imax,A: 10 A | auf Bestellung 1061 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5062 | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 100V | auf Bestellung 6474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5062 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 100V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5062 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 100Vdrm 0.8A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062G | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062G Produktcode: 1012 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5062G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062G | onsemi | SCRs 100V 800mA Thyristor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5062RLRA - 2N5062RLRA, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5062RLRA | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5062RLRA | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5062RLRAG - 2N5062RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5062RLRAG | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | auf Bestellung 4321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5063 | Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5063 | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 0.8A 150V TO-92 | auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5063 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5063 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5063 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 150V | auf Bestellung 2699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5063 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 150V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 150 V | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5063 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 150Vdrm 0.8A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5063 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5063 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 | onsemi | SCRs 200V 800mA Thyristor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse | SCRs 200V .8A 200uA Sensing | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse | Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 200V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | auf Bestellung 6810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5064 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 200V | auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5064 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 200Vdrm 0.8A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5064 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064,112 | NXP USA Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.71 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064,112 | NXP Semiconductors | SCRs BULK SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064,112 | NXP Semiconductors | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin SPT Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064G | MIC | It=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA *obsolete*2N5064G, 2N5064RLRMG, 2N5064RLRAG, 2N5064,112 2N5064 TO92 TY000.82n5064 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5064G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064G Produktcode: 62224 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5064G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5064G - Thyristor, 200 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 200 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064G | On Semiconductor | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5064G | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064G | onsemi | SCRs THY 0.8A 200V SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRA | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRAG | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N5064RLRAG | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRM | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRMG | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RLRMG | ON | 07+; | auf Bestellung 76000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5064RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5064RP | Littelfuse Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5065 | MOT | CAN | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5066 | MOT | CAN | auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.1A 3-Pin TO-46 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5067 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5068 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 87 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5068 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5069 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5069 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5069 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N506A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N507 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5071 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5073 | MOT | CAN | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5074 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5074 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5075 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5075 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5076 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5076 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5077 | General Semiconductor | Description: TRANS 250V 3A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5077 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5078 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5078 | MOT | CAN | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5079 | MOT | CAN | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N507A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N508 | MOT | CAN | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N508 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5080 | MOT | CAN | auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5081 | MOT | CAN | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5082 | MOT | CAN | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5083 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5083 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5084 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5084 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5085 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5085 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 | Fairchild Semiconductor | Description: 2N5086 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086BU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 96478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5086BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5086BU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 96478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5086TA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086TF | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5086TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 | Broadcom / Avago | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 | MICROSS/On Semiconductor | Description: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 Produktcode: 144832 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5087 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | auf Bestellung 16325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5087 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 6784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | 2N5087 TRA PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | auf Bestellung 4464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5087BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 250 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 40 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087BU | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON | 09+ | auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5087RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRAG Produktcode: 18859 | ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 fT: 40 MHz U, V: 50 U, V: 50 I, А: 0.05 h21,max: 250 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TF | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087_J18Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087_J61Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5087_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 Produktcode: 161421 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 35 V Ic,A: 0,05 A ZCODE: THT | auf Bestellung 76 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5088 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 10360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5088 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 | FAIRCHILD | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5088 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 9301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 2448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 2448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5088 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5088 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | auf Bestellung 7029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5088 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088BU | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 29368 | ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 30 Ucbo,V: 35 Ic,A: 0,05 h21: 900 | verfügbar 120 Stück: |
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2N5088RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088RLRA | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N5088RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5088TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 3531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5088TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TAR | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 39320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5088TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 6289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5088TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088_D11Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5088_J61Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 | FSC | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5089 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 36987 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 25 Ucbo,V: 30 Ic,A: 0,05 h21: 1200 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5089 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | auf Bestellung 4134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5089 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 10041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5089 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 13674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5089 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | auf Bestellung 4685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5089 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089BU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TA | Fairchild | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5089TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TA_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TF | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5089_J18Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N508A | MOT | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N508A | MOTOROLA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N509 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N509 | MOT | CAN | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5090 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5091 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5091 | MOT | CAN | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5092 | MOT | CAN | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5092 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5093 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5093 | MOT | CAN | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5094 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5094 | MOT | CAN | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5095 | MOT | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5095 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 500V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 4 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5096 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 500V 1A 3-Pin TO-5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5096 | MOT | CAN | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5096 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5097 | MOT | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5097 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5097 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 600V 1A 3-Pin TO-5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5098 | MOT | CAN | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5099 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 4 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5099 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5099 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TO-5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5099 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5099 | MOTOROLA | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5099A | MOTOROLA | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N509A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N50E | PH | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N51 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N510 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5103 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5103 | MOT | CAN | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5104 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5104 | MOT | CAN | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5105 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5105 | MOT | CAN | auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5106 | MOT | CAN | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5106 | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5106A | MOTOROLA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5107 | MOTOROLA | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5107 | MOT | CAN | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5108 | MOT | CAN | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5108 | MOTOROLA | auf Bestellung 15500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5109 | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 2500mW 3-Pin TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 | MICROSEMI | Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB Power - Max: 2.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 31239 | Central Semiconductor | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-39 fT: 1.2 GHz Uceo,V: 20 Ucbo,V: 40 Ic,A: 0,4 h21: 120 Bem.: 1Wt | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109JAN | IR | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5109JANTX | IR | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5109UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5109UB BK | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N510A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N511 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5110 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5110 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5111 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5111 | MOT | CAN | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5112 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5113 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5114 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5114 | VISHAY | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5114 | Vishay Semiconductors | JFET 30V 10pA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | VISHAY | CAN | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | MOT | CAN3 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114 | Vishay | 2002 | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5114 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5114 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5114-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114E3 | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JTX02 | Vishay | 19500/476 JANTX2N5114 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114UB | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5114UB | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Qualification: MIL-PRF-19500 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5114UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | MOTO | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5115 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | VISHAY | 0018+ TO-18 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | Central Semiconductor Corp | Description: IC JUNCTION FET P-CH TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5115 | Vishay | 00+/01 | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5115 | VISHAY | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5115 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5115-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | JFETs JFET | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 444-448 Tag (e) |
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2N5115JAN | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JANTX | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JTX02 | Vishay | Trans JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB | Microsemi Corporation | Description: P CHANNEL JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB | Microchip / Microsemi | JFET JFETs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5115UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 | VISHAY | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5116 | Solid State Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 mV Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5116 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5116 | VISHAY | CAN | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5116 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 | SIL | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5116 | Vishay | 2002 | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 BK PBFREE | Central Semiconductor | JFET P-Ch Junc FET | auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5116 PBFREE | Central Semiconductor | JFETs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 PBFREE | Central Semiconductor | Trans JFET P-CH Si 3-Pin TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH | auf Bestellung 4621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5116 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5116-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JANTX | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UA | Microchip Technology | JFETs 30V 500MW JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UA/TR | Microchip Technology | Description: JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UA/TR | Microchip Technology | JFETs 30V 500MW JFET TR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Description: P CHANNEL JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | JFET JFETs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5116UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5117 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5117 | MOT | CAN | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5118 | MOT | CAN | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5118 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5119 | MOT | CAN | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5119 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N511A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N512 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5120 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5120 | MOT | CAN | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5121 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5121 | MOT | CAN | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5122 | MOT | CAN | auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5122 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5123 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5124 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5125 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5126 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5127 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5128 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5129 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N512A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N513 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5130 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5131 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5132 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5133 | NSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5134 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5135 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5136 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5137 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5138 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5139 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N513A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N514 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5140 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5141 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5142 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5143 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5144 | MOT | CAN | auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5144 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5145 | MOT | CAN | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5145 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5147 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5147 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5147 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5147 | MOT | CAN | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5148 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 7 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5148 | MOT | CAN | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5149 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5149 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5149 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5149 | MOT | CAN | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N514A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N515 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5150 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5150 | MOT | CAN | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5150 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5150 Produktcode: 140183 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5150 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5151 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | MOT | CAN | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5151 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5151 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/545 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151 | MOTOROLA | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/545 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5151U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5152 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5152 | MOT | CAN | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5152 | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152L | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5152U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5153 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | MOT | CAN | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | NEC | CAN | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5153 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153-220M | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153-220M | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153-220M | Ignion | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153ESY | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153ESYHRB - 5204/002/04 | STMicroelectronics | 2N5153ESYHRB - 5204/002/04 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153HR - 5204/002/02 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153RESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153RSHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153RSRHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153SHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153SMD05 | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153SR1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5154 | MOT | CAN | auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5154 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154ESY | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154ESY | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154ESY1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154ESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154ESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154HR - 5203/010/01 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154HR - 5203/010/02 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154RESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154RSRHRT | STMicroelectronics | 2N5154RSRHRT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5154S1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5154S1 | STMicroelectronics | Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO Packaging: Strip Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: SMD5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5154SHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154SR1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154SRHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154T2A | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154T2A | Semelab | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 0.001A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5155 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5156 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5157 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5158 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5158 | MOT | CAN | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5159 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5159 | MOT | CAN | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N515A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N516 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5160 | MOT | CAN3 | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5160 | MOTOROLA | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5160 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440 | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5160 | MOT | CAN | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5160A | MOTOROLA | auf Bestellung 12850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5161 | MOT | 89+ SOP | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5163 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5163 | NS | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5164 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5165 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5166 | SSI | 0339 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5167 | MOTOROLA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5168 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5168 | MOTOROLA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5169 | MOTOROLA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5169 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N516A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N517 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5170 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5171 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 9764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5172 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 4187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...500 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 2953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...500 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N5172 TRE PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5172_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5176 | MOTOROLA | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5177 | MOTOROLA | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5179 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 20dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 | Microsemi | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72 | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5179 | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 | MICROSEMI | TO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Active | auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5179 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5179 TIN/LEAD | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5179-NRC | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 0 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-72 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 900MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5179A | MOTOROLA | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N517A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N518 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5180 | MOT | CAN | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5180 | MOTOROLA | auf Bestellung 11500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5181 | MOTOROLA | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5181 | MOT | CAN | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5182 | MOTOROLA | auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5182 | MOT | CAN | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5183 | MOTOROLA | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5183 | MOT | CAN | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5184 | MOT | CAN | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5184 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5185 | MOT | CAN | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5185 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5186 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5186 | MOT | CAN | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5187 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5187 | MOT | CAN | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5188 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5188 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5189 | MOTOROLA | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5189 | MOT | CAN | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5189 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5189 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5189 TIN/LEAD | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5189 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N518A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N519 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N519 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5190 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5190G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5190G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5190G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5191 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191 | MOTOROLA | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
2N5191 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5191G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 2163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5191G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5191G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5191G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5191G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN | auf Bestellung 16856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5192 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 | ST | NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5192 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 SL H | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 4A TO126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192 SL H PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5192G Produktcode: 178450 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
2N5192G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
2N5192G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5192G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO225 Current gain: 7...100 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5192G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5192R | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5193 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5193 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO126 Pulsed collector current: 7A Current gain: 10...100 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5193 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
2N5193 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO126 Pulsed collector current: 7A Current gain: 10...100 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz | Produkt ist nicht verfügbar |