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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
48VBSGINVERTERTOBO1 48VBSGINVERTERTOBO1 INFINEON 3626593.pdf Description: INFINEON - 48VBSGINVERTERTOBO1 - Evaluationsboard, IAUS240N08S5N019, 3-Phasen-Motor, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IAUS240N08S5N019
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: IAUS240N08S5N019
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 INFINEON 3626594.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 - Entwicklungsboard, TLE9241QU, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9241QU
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9241QU
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FZ400R17KE3HOSA1 FZ400R17KE3HOSA1 INFINEON Infineon-FZ400R17KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43043334fd6 Description: INFINEON - FZ400R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 620A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 620A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PVD1352NPBF PVD1352NPBF INFINEON INFN-S-A0008993238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVD1352NPBF - MOSFET-Relais, Photovoltaik, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (4 Pins verwendet)
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 100V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVD13 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS21084SPBF IRS21084SPBF INFINEON 2064149.pdf description Description: INFINEON - IRS21084SPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, SOIC-14
Sinkstrom: 600
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 290
Spitzenausgangsstrom: -
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 220
Ausgabeverzögerung: 200
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS2108SPBF IRS2108SPBF INFINEON INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 INFINEON 1849706.html Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 INFINEON 1849706.html Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON bav170series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cb8e81404e3 Description: INFINEON - BAV170E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, SOT-23, 3 Pins, 2 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.25V
Diodenkapazität: 2pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004848058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON 1849753.pdf Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1 INFINEON INFNS28480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP40R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FP40R12KT3GBOSA1 FP40R12KT3GBOSA1 INFINEON 2255572.pdf Description: INFINEON - FP40R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T640N16TOFXPSA1 T640N16TOFXPSA1 INFINEON 2849592.pdf Description: INFINEON - T640N16TOFXPSA1 - THYRISTORMODUL, 1.6KV, 1.45KA
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 1.6
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 9.4
Zündstrom, max., Igt: 250
Zündspannung, max., Vgt: 2.2
Haltestrom Ih, max.: 300
SCR-Modul: SCR einfach
Strom It av: 920
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 1.45
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BB844E6327HTSA1 BB844E6327HTSA1 INFINEON INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6218PBF IRF6218PBF INFINEON 196719.pdf description Description: INFINEON - IRF6218PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 27 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 46251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DF160R12W2H3FB11BPSA1 DF160R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003271527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1502LRHE6327XTSA1 BAT1502LRHE6327XTSA1 INFINEON 2820276.pdf Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT15099E6327HTSA1 BAT15099E6327HTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT15099RE6327HTSA1 BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON 2820277.pdf Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 62317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRGPS46160DPBF IRGPS46160DPBF INFINEON 1868673.pdf Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP20B60PDPBF IRGP20B60PDPBF INFINEON 140476.pdf Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP INFINEON 91434.pdf Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP INFINEON 2332092.pdf Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF INFINEON 1916205.pdf Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF INFINEON INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4640-EPBF IRGP4640-EPBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4640PBF IRGP4640PBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP6630DPBF IRGP6630DPBF INFINEON 1868670.pdf Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4266PBF IRGP4266PBF INFINEON 1916203.pdf Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGB4059DPBF. IRGB4059DPBF. INFINEON 140449.pdf Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS21864PBF IRS21864PBF INFINEON INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R07N2E4BPSA1 FS100R07N2E4BPSA1 INFINEON 2882449.pdf Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R06KE3BOSA1 FS100R06KE3BOSA1 INFINEON INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FS100R12KT3BOSA1 FS100R12KT3BOSA1 INFINEON INFNS28510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R12KE3BOSA1 FS100R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 140A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5109EVALKITTOBO2 INFINEON 3189167.pdf Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: TLE5109A16D E1210
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5309EVALKITTOBO1 INFINEON Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4 Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluation Kit, TLE5309 E1211, Angle Sensor
Prozessorkern: TLE5309 E1211
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
Unterart Anwendung: Winkelsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
REFICL8820LED43WJTTOBO1 REFICL8820LED43WJTTOBO1 INFINEON 3437316.pdf Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS133BKSA1 BTS133BKSA1 INFINEON 2334166.pdf Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 INFINEON Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982 Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48VBSGINVERTERTOBO1 3626593.pdf
48VBSGINVERTERTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 48VBSGINVERTERTOBO1 - Evaluationsboard, IAUS240N08S5N019, 3-Phasen-Motor, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IAUS240N08S5N019
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: IAUS240N08S5N019
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 3626594.pdf
TLE9241QUDEVBOARDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 - Entwicklungsboard, TLE9241QU, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9241QU
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9241QU
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FZ400R17KE3HOSA1 Infineon-FZ400R17KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43043334fd6
FZ400R17KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ400R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 620A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 620A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PVD1352NPBF INFN-S-A0008993238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVD1352NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVD1352NPBF - MOSFET-Relais, Photovoltaik, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (4 Pins verwendet)
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 100V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVD13 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS21084SPBF description 2064149.pdf
IRS21084SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21084SPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, SOIC-14
Sinkstrom: 600
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 290
Spitzenausgangsstrom: -
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 220
Ausgabeverzögerung: 200
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS2108SPBF INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2108SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX42E6327HTSA1 1849706.html
BCX42E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BCX42E6327HTSA1 1849706.html
BCX42E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BAV170E6327HTSA1 bav170series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cb8e81404e3
BAV170E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAV170E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, SOT-23, 3 Pins, 2 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.25V
Diodenkapazität: 2pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP045N10N3GXKSA1 INFN-S-A0004848058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP030N10N3GXKSA1 1849753.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FP40R12KT3BOSA1 INFNS28480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FP40R12KT3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FP40R12KT3GBOSA1 2255572.pdf
FP40R12KT3GBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T640N16TOFXPSA1 2849592.pdf
T640N16TOFXPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - T640N16TOFXPSA1 - THYRISTORMODUL, 1.6KV, 1.45KA
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 1.6
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 9.4
Zündstrom, max., Igt: 250
Zündspannung, max., Vgt: 2.2
Haltestrom Ih, max.: 300
SCR-Modul: SCR einfach
Strom It av: 920
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 1.45
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR4615TRLPBF INFN-S-A0012838005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4615TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BB844E6327HTSA1 INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB844E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6218PBF description 196719.pdf
IRF6218PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6218PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 27 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IR2011SPBF description 2820281.pdf
IR2011SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IR2011PBF description 2820281.pdf
IR2011PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR4104TRPBF IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4104TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 46251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DF160R12W2H3FB11BPSA1 INFN-S-A0003271527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF160R12W2H3FB11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
BAT1504WH6327XTSA1 2333741.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1504RE6152HTSA1 INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1504RE6152HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1502LRHE6327XTSA1 2820276.pdf
BAT1502LRHE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT15099E6327HTSA1 2333741.pdf
BAT15099E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT1504WH6327XTSA1 2333741.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAT15099RE6327HTSA1 2820277.pdf
BAT15099RE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 62317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1310NPBF INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR2405TRPBF description INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2405TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRGPS46160DPBF 1868673.pdf
IRGPS46160DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP20B60PDPBF 140476.pdf
IRGP20B60PDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGPS60B120KDP 91434.pdf
IRGPS60B120KDP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP30B120KD-EP 2332092.pdf
IRGP30B120KD-EP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4650DPBF 1916205.pdf
IRGP4650DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4062DPBF INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4062DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4640-EPBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640-EPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4640PBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP6630DPBF 1868670.pdf
IRGP6630DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP4266PBF 1916203.pdf
IRGP4266PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRGB4059DPBF. 140449.pdf
IRGB4059DPBF.
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS21864PBF INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21864PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R07N2E4BPSA1 2882449.pdf
FS100R07N2E4BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R06KE3BOSA1 INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R06KE3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FS100R12KT3BOSA1 INFNS28510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KT3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS100R12KE3BOSA1 INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KE3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 140A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5109EVALKITTOBO2 3189167.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: TLE5109A16D E1210
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLE5309EVALKITTOBO1 Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluation Kit, TLE5309 E1211, Angle Sensor
Prozessorkern: TLE5309 E1211
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
Unterart Anwendung: Winkelsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
REFICL8820LED43WJTTOBO1 3437316.pdf
REFICL8820LED43WJTTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA60R950C6XKSA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R950C6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS133BKSA1 2334166.pdf
BTS133BKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982
DF200R07W2H3B77BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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