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ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Diodes Zetex

5820512954904526zxtn2010g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTN2010GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
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291+ 0.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 242
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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500+ 0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 228
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
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117+ 0.61 EUR
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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125+ 0.57 EUR
500+ 0.55 EUR
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
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16+ 1.12 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Hersteller : Diodes Inc 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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