ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 55MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 55MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 55MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXT13P12DE6
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
ZXT13P12DE6 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 55MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
ZXT13P12DE6 | Hersteller : ZETEX |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
ZXT13P12DE6 | Hersteller : ZETEX | 06+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |