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ZVP2110A

ZVP2110A Diodes Zetex

zvp2110a.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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Technische Details ZVP2110A Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : DIODES INCORPORATED ZVP2110A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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139+ 0.51 EUR
500+ 0.5 EUR
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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : DIODES INCORPORATED ZVP2110A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2110A.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2110A.pdf MOSFET P-Chnl 100V
auf Bestellung 5054 Stücke:
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100+ 0.91 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.83 EUR
2000+ 0.78 EUR
4000+ 0.59 EUR
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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : DIODES INC. DIODS12062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
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ZVP2110A ZVP2110A
Produktcode: 118751 		ZVP2110A.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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ZVP2110A ZVP2110A Hersteller : Diodes Inc zvp2110a.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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