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Technische Details TK31E60W,S1VX(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK31E60W,S1VX(S nach Preis ab 4.05 EUR bis 9.36 EUR
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TK31E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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TK31E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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TK31E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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TK31E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK31E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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