SDS065J004C3-ISATH Sanan Semiconductor
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Technische Details SDS065J004C3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 650V-4A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote SDS065J004C3-ISATH nach Preis ab 1.89 EUR bis 2.97 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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SDS065J004C3-ISATH | Hersteller : Luminus Devices Inc. |
Description: DIODE 650V-4A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V |
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