RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor
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Technische Details RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.
Weitere Produktangebote RGW60TS65DGC11 nach Preis ab 6.32 EUR bis 9.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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RGW60TS65DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W |
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RGW60TS65DGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 60 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 178 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |